Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt.
fabricant:
Mikrochiptechnik
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 185A 650W SP3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
185 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP3
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
50 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
650 Watt
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
6.15 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGLQ100
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 185 A 650 W Durch Loch SP3
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