Die Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
300 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
350 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
652 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
12.2 nF @ 25 V
Ausstattung:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
APTGT200
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Ebenen-Wechselrichter 600 V 300 A 652 W Fahrgestellmontage SP6
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: