FF225R65T3E3BPSA1
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
225 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
XHPTM3
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.4V @ 15V, 225A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
5900 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
1000000 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
65.6 nF @ 25 V
Ausstattung:
2 Unabhängig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
FF225R65
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp 2 Unabhängige 5900 V 225 A 1000000 W Fahrgestellmontage AG-XHP3K65
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