Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
61 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
EMIPAK-1B
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.52V @ 15V, 30A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMIPAK-1B
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
230 μA
IGBT-Typ:
Graben
Leistung - Max.:
216 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
3.34 nF @ 30 V
Ausstattung:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
Einheitliche Datenbank
Einleitung
IGBT-Modul-Graben Drei-Ebenen-Wechselrichter 1200 V 61 A 216 W Fahrgestell EMIPAK-1B
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