Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
139 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
HEXFRED®
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 80A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
Graben
Leistung - Max.:
658 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
GT80
Einleitung
IGBT-Modul-Graben Einzel 1200 V 139 A 658 W Fahrgestell SOT-227
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