MG75U12MRGJ
fabricant:
Yangjie Technologie
Beschreibung:
Transistoren - IGBTs - Module GJ
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 75A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Yangjie Technologie
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
420 Watt
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Einleitung
IGBT-Modul Einzel 1200 V 100 A 420 W Fahrgestell SOT-227
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Die Ausrüstung wird von der Maschine des Herstellers hergestellt.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die Ausrüstung wird von der Maschine des Herstellers hergestellt. |
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