FF200R12KE4HOSA1
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
240 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
C
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
1100 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
FF200R12
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 240 A 1100 W Fahrgestellmontage Modul
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