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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 80A 176W SP3
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Module 600V 60A 190W
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IGBT-Module 600V 29A 94W
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Infineon Technologies
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Bereitstellung von Sicherheitsleistungen |
IGBT-Module 1400W MED PWR 62MM-2
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Infineon Technologies
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FF300R12KT3EHOSA1 |
IGBT MOD 1200V 480A 1450W
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung wird von der Abteilung "Fahrzeuge" erzeugt. |
IGBT-Module 600V 700A 2300W SP6
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Absatz 1 genannte Regelung. |
IGBT MOD 1200V 350A 1250W
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Infineon Technologies
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FP40R12KT3BPSA1 |
Niedrigstromwirtschaft
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Infineon Technologies
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FZ1200R12HP4HOSA2 |
IGBT MOD 1200V 1790A 7150W
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
Medium Power ECONO
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Infineon Technologies
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VS-40MT120PHAPBF |
MTP - Halbbrücke IGBT
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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FS400R12A2T4IBPSA1 |
IGBT MOD 1200V 400A 1500W
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Infineon Technologies
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CM450DY-24S |
IGBT MOD 1200V 410A 3330W
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Powerex Inc.
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F3L300R12PT4PB26BOSA1 |
IGBT-Module MED POWER ECONO4-1
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Infineon Technologies
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Siehe auch APT35GP120J |
IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 100A 250W SP2
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Die Mikrosemi Corporation
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CPV364M4F |
IGBT-Module 600V 27A 63W IMS-2
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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FF500R17KE4BOSA1 |
IGBT-Modul 1700V 500A
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Infineon Technologies
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F3L15R12W2H3B27BOMA1 |
IGBT MOD 1200V 20A 145W
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Infineon Technologies
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FP50R12N2T7B11BPSA1 |
Wir haben eine Reihe von Anwendungen.
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Infineon Technologies
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F475R12KS4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 100A 500W
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Infineon Technologies
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Die Bezeichnung "FAMG1G50US60H" ist: |
IGBT-Module 600V 50A 250W 7PMGA
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Einheitlich
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Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung. |
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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STMikroelektronik
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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FF600R12ME4BOSA1 |
IGBT-Modul 1200V 4050W
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Infineon Technologies
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FF600R12ME4B11BPSA1 |
IGBT-Modul 1200V 4050W
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Infineon Technologies
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FS75R12W2T4B11BOMA1 |
IGBT MOD 1200V 107A 375W
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Infineon Technologies
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FP100R07N3E4B11BOSA1 |
IGBT MOD 650V 100A 335W
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist ausgerichtet auf: |
IGBT-Module 1700V 150A 560W SP4
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für: |
GBT-Module 650V 450A
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Infineon Technologies
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FS150R12N2T7B54BPSA1 |
Niedrigstromwirtschaft
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Infineon Technologies
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
IGBT Mod 1200V 500A 1450W
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Infineon Technologies
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FS75R07U1E4BPSA1 |
IGBT MOD 650V 100A 275W
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Infineon Technologies
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MG600Q2YS60A |
IGBT MOD 1200V 600A 4300W
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Powerex Inc.
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT MOD 1200V 600A 3350W
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Infineon Technologies
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FZ800R33KL2CB5NOSA1 |
IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
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Infineon Technologies
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MG100HF12TLC1 |
Transistoren - IGBTs - Module C1
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Yangjie Technologie
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Wir haben eine Reihe von Anwendungen, bei denen die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingun
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Infineon Technologies
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CM150RX-24S1 |
IGBT MOD 1200V 150A 935W
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Powerex Inc.
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FP50R12KE3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 75A 280W
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Infineon Technologies
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Die Bezeichnung des Zertifikats ist: |
IGBT-Module 600V 65A 250W SP3
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Die Mikrosemi Corporation
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FS75R12KS4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 100A 500W
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Infineon Technologies
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt |
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
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STMikroelektronik
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FZ1200R17HP4HOSA2 |
IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Produktion von Kraftstoffen. |
IGBT-Modul 1700V 1000A
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Infineon Technologies
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VS-GT90DA120U |
SOT-227 - Einzelschalter IGBT + A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen des Luftfahrzeugsystems zu erfüllen. |
IGBT MOD 1200V 280A 1000W
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Infineon Technologies
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6PS18012E4FG38393NWSA1 |
IGBT-Module 1200V-STACK A-PSF-1
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Infineon Technologies
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MG25P12P3 |
Transistoren - IGBTs - Module P3
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Yangjie Technologie
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NXH450B100H4Q2F2SG |
Bei der Prüfung der Leistung muss der Prüfstand der Prüfung gemäß Anhang I Abschnitt 3 der Richtlini
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Einheitlich
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