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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MG300HF12TLC2 |
Transistoren - IGBTs - Module C2
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Yangjie Technologie
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FS150R12PT4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 200A 680W
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Infineon Technologies
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Siehe auch: APTGT75TA120PG |
IGBT-Module 1200V 100A 350W SP6P
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Mikrochiptechnik
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FP75R12KT4PB11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
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Infineon Technologies
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FP7G50US60 |
IGBT-Module 600V 50A 250W EPM7
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Einheitlich
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FZ900R12KP4HOSA1 |
IGBT-Modul 1200V 900A
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Infineon Technologies
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Die Anweisungen sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu finden. |
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1700V 375A 1800W
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Infineon Technologies
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FS25R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 40A 145W
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 150A Isotop
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STMikroelektronik
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VS-CPV362M4UPBF |
IGBT-Module 600V 7,2A 23W IMS-2
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BSM200GB60DLCHOSA1 |
IGBT MOD 600V 230A 730W
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Infineon Technologies
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FP15R12W1T7PB11BPSA1 |
Niedrige Leistung EASY AG-EASY1B-2
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Infineon Technologies
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FF1200R17KE3NOSA1 |
IGBT-Modul VCES 1700V 1200A
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Infineon Technologies
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FF150R12KT3GHOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 780W
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Infineon Technologies
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2LS20017E42W36702NOSA1 |
IGBT-Modul 1700V 20A
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Infineon Technologies
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APT100GT120JR |
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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FS100R17N3E4BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 100A 600W
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Infineon Technologies
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MG10P12P2 |
Transistoren - IGBTs - Module P2
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Yangjie Technologie
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
IGBT-Module 1200V 75A 270W SP3
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Die Mikrosemi Corporation
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Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgestattet. |
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
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Mikrochiptechnik
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APT50GP60JDQ2 |
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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