Filter
Filter
IGBTs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT100GF60JU2 |
IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
FS200R07PE4BOSA1 |
IGBT MOD 650V 200A 600W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist mit einer hohen Temperatur ausgestattet. |
IGBT-Modul 1700V 6250W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF450R12ME4B11BPSA2 |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FD400R12KE3B5HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 580A 2000W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IGBT-Module 1200 V
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MG12450WB-BN2MM |
IGBT-Module 1200V 600A 1950W WB
|
Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
|
|
|
|
|
|
FZ2400R17HP4HOSA2 |
IGBT-Modul 1700V 400A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für |
IGBT MOD 1700V 1000A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MG35P12E1A |
Transistoren - IGBTs - Module E1
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
FS450R17KE3BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 605A 2250W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF1200R12IE5PBPSA1 |
IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
F3L400R10W3S7B11BPSA1 |
IGBT-Module mit geringer Leistung
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FP50R12KT4PB11BPSA1 |
Modul IGBT mit niedrigem PWR ECONO2-4
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung wird von der Abteilung "Fertigung" des Herstellers erzeugt. |
IGBT-Module 600V 550A 1750W SP6
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1700V 350A 1450W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FP150R12KT4PBPSA1 |
IGBT-Modul 1200V 150A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FD800R17HP4KB2BOSA2 |
IGBT MOD 1700V 800A 5200W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF150R12MS4GBOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 1250W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anlagen zu erzeugen. |
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von Flächen. |
IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
FP40R12KE3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 55A 210W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF300R17ME4PBPSA1 |
IGBT MOD 1700V 600A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm. |
IGBT MOD 1200V 300A 1100W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FZ2400R12HP4HOSA2 |
IGBT-Modul 1200V 3460A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FMG1G100US60H |
IGBT-Module 600V 100A 400W 7PMGA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
SOT-227 - HIGH SIDE CHOPPER IGBT (Hochseiten-Sprenggerät für die Anlage)
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
CM600HU-24F |
IGBT MOD 1200V 600A 2400W
|
Powerex Inc.
|
|
|
|
|
|
MG300HF12TLC2 |
Transistoren - IGBTs - Module C2
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
FS150R12PT4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 200A 680W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Siehe auch: APTGT75TA120PG |
IGBT-Module 1200V 100A 350W SP6P
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
FP75R12KT4PB11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FP7G50US60 |
IGBT-Module 600V 50A 250W EPM7
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FZ900R12KP4HOSA1 |
IGBT-Modul 1200V 900A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Anweisungen sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu finden. |
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1700V 375A 1800W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FS25R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 40A 145W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 150A Isotop
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
VS-CPV362M4UPBF |
IGBT-Module 600V 7,2A 23W IMS-2
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BSM200GB60DLCHOSA1 |
IGBT MOD 600V 230A 730W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FP15R12W1T7PB11BPSA1 |
Niedrige Leistung EASY AG-EASY1B-2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF1200R17KE3NOSA1 |
IGBT-Modul VCES 1700V 1200A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 780W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
2LS20017E42W36702NOSA1 |
IGBT-Modul 1700V 20A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
APT100GT120JR |
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
FS100R17N3E4BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 100A 600W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MG10P12P2 |
Transistoren - IGBTs - Module P2
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
IGBT-Module 1200V 75A 270W SP3
|
Die Mikrosemi Corporation
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgestattet. |
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
APT50GP60JDQ2 |
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|