Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
fabricant:
Die Mikrosemi Corporation
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 220A 750W SP2
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
220 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 150A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP2
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
300 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
750 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
APTGL180
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 220 A 750 W Fahrgestell SP2
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