Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für die Beförderung.
fabricant:
Die Mikrosemi Corporation
Beschreibung:
IGBT-Module 600V 75A 277W SOT227
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
ISOTOP
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 50A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Strom - Sammlergrenze (maximal):
µA 40
IGBT-Typ:
NPT
Leistung - Max.:
277 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
2.25 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Einleitung
IGBT-Modul NPT Einzel 600 V 75 A 277 W Fahrgestell SOT-227
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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