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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu finden.

fabricant:
Die Mikrosemi Corporation
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 40A 227W SP2
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
40 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP2
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Strom - Sammlergrenze (maximal):
250 μA
IGBT-Typ:
NPT und Fieldstop
Leistung - Max.:
227 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Ausstattung:
Vollbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGFQ25
Einleitung
IGBT-Modul NPT und Feldstop Vollbrücke 1200 V 40 A 227 W durch Loch SP2
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