Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgestattet.
fabricant:
Die Mikrosemi Corporation
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 200A 961W SP4
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
200 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP4
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP4
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Strom - Sammlergrenze (maximal):
350 µA
IGBT-Typ:
NPT
Leistung - Max.:
961 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
10.2 nF @ 25 V
Ausstattung:
Doppel, gemeinsame Quelle
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Einleitung
IGBT-Modul NPT Dual, gemeinsame Quelle 1200 V 200 A 961 W Fahrgestell-Stützpunkt SP4
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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