Filter
Filter
Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für die Beförderung. |
IGBT-Module 600V 75A 277W SOT227
|
Die Mikrosemi Corporation
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von einem Schnittwerk mit einem Schnittwerk mit einem Schnittwerk mit einem Schnittwerk. |
IGBT MOD 1700V 600A 2500W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FS50R07U1E4BPSA |
IGBT-Modul 650V 75A 230W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 1200V 400A 1780W SP6
|
Die Mikrosemi Corporation
|
|
|
|
|
|
MG75U12MRGJ |
Transistoren - IGBTs - Module GJ
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet. |
IGBT-Modul 1700V 1600A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
FP40R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 55A 210W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistoren - IGBTs - Module C1
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
FP200R12N3T7B11BPSA1 |
Niedrigstromwirtschaft
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
F4100R17N3E4BPSA1 |
Niedrigstromwirtschaft
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Prüfungen werden in der Regel von der Kommission durchgeführt. |
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FS660R08A6P2FBBPSA1 |
HYBRID PACK DRIVE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FS35R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 55A 210W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
IFF450B12ME4PB11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 450A 40W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
6PS04512E43W39693NOSA1 |
IGBT-Module 500V 300A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FS450R12OE4B81BPSA1 |
Medium Power ECONO
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF1500R12IE5PBPSA1 |
IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FP75R12N2T7PB11BPSA1 |
Niedrigstromwirtschaft
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF100R12KS4HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 780W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Bei der Verwendung von Zylindersystemen |
IGBT-Module 1200V 105A 630W S3
|
Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Module 600V 39A 115W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FF150R12KS4HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 1250W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
IGBT-Module VCES 1700V 1600A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
IGBT-Module 1200V 305A 1000W SP6
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
DF300R12KE3HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 480A 1470W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
NXH350N100H4Q2F2S1G |
IC PWR-Module 1000V 350A PIM42
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FZ1200R12HE4PHPSA1 |
IGBT-Module 1200V 1825A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Sie werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten überwacht. |
IGBT MOD 1200V 77A 347W ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 1200V 420A 2100W D3
|
Die Mikrosemi Corporation
|
|
|
|
|
|
MG150HF12LEC2 |
Transistoren - IGBTs - Module C2
|
Yangjie Technologie
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung wird von der Abteilung für Luftfahrt, Luftfahrt und Raumfahrt der Kommission erstellt. |
IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
|
Die Mikrosemi Corporation
|
|
|
|
|
|
FS100R07N2E4B11BOSA1 |
IGBT MOD 650V 125A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
IGBT MOD 1600V 70A 500W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
APT100GT120JU2 |
IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
APT40GP90J |
IGBT-Module 900V 68A 284W ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 650V 150A 430W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FD150R12RT4HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 790W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
F3L75R12W1H3B11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 45A 275W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Modul 1700V 7200A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 1700V 400A 1660W SP6
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 80A 176W SP3
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
CM200DY-12H |
IGBT MOD 600V 200A 780W
|
Powerex Inc.
|
|
|
|
|
|
FS450R17OE4PBOSA1 |
IGBT MOD 1700V 900A 20MW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
CM300DY-12H |
IGBT MOD 600V 300A 1100W
|
Powerex Inc.
|
|
|
|
|
|
Die Angabe der Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich. |
IGBT-Module 1200V 40A 208W SP1
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Module IGBT - IAP IGBT
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT-Module 600V 75A 310W 7PMGA
|
Einheitlich
|
|
|